这部国产电影的巅峰之作，再也没人拍得出来

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三、国产【核心创新点】1.在纯铜晶体中发现了弹性前驱体平台形状的扰动，国产对于[110]纯晶体，HEL趋于随温度降低，对于[111]纯晶体，HEL趋于增加 2.预先存在的位错加速了弹性前驱体的衰变，通过计算证明了位错晶体中的HEL衰变功率与多晶退火铜的实验一致 四、【数据概览】图1单晶铜沿[110]和[111]方向取向预先存在位错网络示意图©2023Elsevier图2冲击波传播过程中纵向（蓝色）和剪切（橙色）应力的演变©2023Elsevier图3[111]取向晶体中的原子速度和位错演变©2023Elsevier图4在300K条件下700m/s和1000m/s的冲击下，[110]和[111]取向铜晶体的位错子结构©2023Elsevier图5在1000m/s的900K冲击下纵向和剪应力演化©2023Elsevier图6在30ps和40ps的1000m/s的冲击下，[111]取向晶体中的颗粒速度和位错©2023Elsevier图7在900K的1000m/s的冲击下，[111]取向晶体中位错密度、纵向和剪应力的演化©2023Elsevier图8在100K的500m/s的冲击下，[111]取向晶体中位错密度、纵向和剪应力的演化©2023Elsevier图9冲击波通过400nm时铜晶体的冲击波结构©2023Elsevier图10弹性前驱体处的应力（GPa）与传播距离的关系©2023Elsevier图11在100、300、700和1100K的温度下，[111]取向铜晶体中弹性前驱体的应力（GPa）与传播距离（nm）的关系©2023Elsevier图12在1000和1200m/s的冲击速度下，[111]取向铜晶体中弹性前驱体（GPa）处应力与温度的关系©2023Elsevier图13在冲击速度为1000m/s和900m/s时应力HEL（GPa）©2023Elsevier图14在冲击速度300、500、700和900m/s的[110]铜晶体中，弹性前驱体下的应力（GPa）与传播距离（nm）的关系©2023Elsevier图15在300、500、700和900m/s的冲击速度下，在已存在位错的[111]铜晶体中，弹性前驱体（GPa）下与应力HEL的温度相关性©2023Elsevier图16对于已存在位错的[110]和[111]铜晶体，HEL在对数尺度上与传播距离的关系©2023Elsevier图17[111]铜晶体在300和700K下对位错构型随机性的敏感性©2023Elsevier图18预先存在位错的[111]铜晶体的HEL应力幂律近似与300和1100K下的实验的对比©2023Elsevier五、【成果启示】综上所述，本文通过分子动力学模拟揭示了铜晶体和在宽温度范围内预先存在位错网络的晶体的冲击压缩的几个重要特征。然而，电影的巅在较高的冲击速度下，由于塑性波前附近的位错成核，观察到冲击波结构的扰动，导致HEL值衰减然后增加。

冲击实验表明，没人许多退火后的面心立方金属在高应变率下表现出随温度异常增加的屈服强度，没人这种增加通常与声子摩擦模式下位错的倍增有关，其声子摩擦模式随温度而减慢。这一令人惊讶的结果可以通过[110]晶体中塑性波中位错子结构的存在来解释，部作再也这降低了位错的迁移率，并使位错成核过程比[111]晶体更占主导地位。然而，国产随着应变速率的增加，测量样品变形变得更加困难

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没人2014至2019年在德国马普高分子所从事博士后研究（导师：KlausMüllen教授）。另外，部作再也在优化后的分子构型中，部作再也APD-IID给体和受体之间的碳碳键更短，表现出一定的双键特征，这表明APD-IID的电荷分离共振式对其基态电子结构具有明显贡献(图1)，有利于增强分子间的相互作用。

非苯芳烃是一类分子内具有非六元环结构的多环芳烃，国产其独特的拓扑结构赋予了其不同于经典苯型多环芳烃的性质，因此引起了广泛的关注。图1.利用APD电荷分离特征所设计的D-A-D型有机半导体分子APD-IID及其苯型异构体1Py-IID和2Py-IID通过理论计算，电影的巅作者发现在APD-IID的静电势分布图(ESP)中，电影的巅正电荷主要分布在APD的七元环上，而负电荷主要分布在异靛蓝(IID)片段和APD的五元环上，分子整体表现出明显的电荷分离特征(图2)。